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s-CNT阵列晶体管表现出高于1.2mAμm-1的高饱和导通状态电流和高于2mSμm-1的电导,直流超过了同等门极驱动下基准测试时最佳竞争硅器件的电流,直流源极漏极偏置(VDS)。最终制得的p-沟道晶体管,工程尺寸仅有40nm,是目前报道的最小记录。
同时制备了一些大规模、进入高质量的异质结薄膜和设备,进入包括超晶格薄膜、批次生产的电阻可调的隧道结阵列、能带调控异质结隧道二极管以及毫米级超薄膜。然而,压运目前剥离制备单层薄片的方法存在着成本高昂,难以稳定剥离二维晶体结构等弊病,亟需引入新型制备方法改善现有剥离工艺。这个系统中CdS可以捕获光能,行状然后将CO2选择性地转化成天然副产物:乙酸,实现固定大气CO2转化为对人类有用的能源的目标。
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